原子1個分の隙間が次世代半導体開発の障壁に
次世代半導体材料と絶縁層の間に原子レベルの隙間が生じ、小型化の障壁となることが判明しました。
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次世代半導体材料と絶縁層の間に原子レベルの隙間が生じ、小型化の障壁となることが判明しました。
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